钒氮合金　硅、锰、磷、铝含量的测定　电感耦合等离子体原子发射光谱法   
关键词：GB/T 24583.8-2009
摘　要： GB/T 24583的本标准规定了电感耦合等离子体发射光谱法测定硅、锰、磷、铝含量。本标准适用于钒氮合金中硅、锰、磷、铝含量的测定。测定范围（质量分数）：硅：0.010%～1.00%；锰：0.010%～0.500%；磷：0.010%～0.500%；铝：0.010%～1.00%。

钒氮合金　氧含量的测定　红外线吸收法   
关键词：GB/T 24583.7-2009
摘　要： GB/T 24583的本部分规定了红外线吸收法测定氧含量。本部分适用于钒氮合金中氧含量的测定。测定范围（质量分数）：0.10%～2.00%。

钒氮合金　硫含量的测定　红外线吸收法   
关键词：GB/T 24583.6-2009
摘　要： GB/T 24583的本部分规定了红外线吸收法测定硫含量。本部分适用于钒氮合金中硫含量的测定。测定范围（质量分数）：0.010%～0.150%。

钒氮合金　磷含量的测定　铋磷钼蓝分光光度法   
关键词：GB/T 24583.5-2009
摘　要： GB/T 24583的本部分规定了铋磷钼蓝光度法测定磷含量。本部分适用于钒氮合金中磷含量的测定。测定范围（质量分数）：0.010%～0.100%。

钒氮合金　碳含量的测定　红外线吸收法   
关键词：GB/T 24583.4-2009
摘　要： GB/T 24583的本部分规定了红外线吸收法测定碳含量。本部分适用于钒氮合金中碳含量的测定。测定范围（质量分数）：1.00%～15.00%。

钒氮合金　氮含量的测定　蒸馏-中和滴定法   
关键词：GB/T 24583.3-2009
摘　要： GB/T 24583的本部分规定了蒸馏－中和滴定法测定氮含量。本部分适用于钒氮合金中氮含量的测定。测定范围（质量分数）：5.00%～20.00%。

钒氮合金　氮含量的测定　惰性气体熔融热导法   
关键词：GB/T 24583.2-2009
摘　要： GB/T 24583的本部分规定了惰性气体熔融热导法测定氮含量。本部分适用于钒氮合金中氮含量的测定。测定范围（质量分数）：5.00%～20.00%。

钒氮合金　钒含量的测定　硫酸亚铁铵滴定法   
关键词：GB/T 24583.1-2009
摘　要： GB/T 24583的本部分规定了硫酸亚铁铵滴定法测定钒含量。本部分适用于钒氮合金中钒含量的测定。测定范围（质量分数）：≥60.00%。

酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定　多晶硅表面金属杂质   
关键词：GB/T 24582-2009
摘　要： 本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。

低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法   
关键词：GB/T 24581-2009
摘　要： 电子级多晶硅生产者和使用者都可采用LTFT-IR光谱来对多晶硅进行质量保证和研发目的的测量。

重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法   
关键词：GB/T 24580-2009
摘　要： 本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法（SIMS）对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污（总量）的测试。

酸浸取　原子吸收光谱法测定　多晶硅表面金属污染物   
关键词：GB/T 24579-2009
摘　要： 本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。

硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法   
关键词：GB/T 24578-2015
摘　要：

热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物   
关键词：GB/T 24577-2009
摘　要： 本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法，采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。

高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法   
关键词：GB/T 24576-2009
摘　要： 本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时，AlGaAs外延层厚度应大于300nm。