锗单晶电阻率直流四探针测量方法   
关键词：GB/T 26074-2010
摘　要： 本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。

太阳能电池用锗单晶   
关键词：GB/T 26072-2010
摘　要： 本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和合同（或订货单）内容。本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗单晶滚圆棒。

太阳能电池用硅单晶切割片   
关键词：GB/T 26071-2010
摘　要： 本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片（简称硅片）的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单内容。本标准适用于直拉法（CZ/MCZ）制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片。

化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法   
关键词：GB/T 26070-2010
摘　要： 本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

硅退火片规范   
关键词：GB/T 26069-2010
摘　要： 本规范规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、测试方法、检验规则等。本规范适用于线宽180nm、130nm和90nm工艺退火硅片。

硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法   
关键词：GB/T 26068-2010
摘　要： 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。

硅片切口尺寸测试方法   
关键词：GB/T 26067-2010
摘　要： 本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。

硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法   
关键词：GB/T 26066-2010
摘　要： 本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。

硅单晶抛光试验片规范   
关键词：GB/T 26065-2010
摘　要： 本规范规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。

锂圆片   
关键词：GB/T 26064-2010
摘　要： 本标准规定了锂圆片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及质量证明书与合同（或订货单）内容。 本标准适用于以电池级金属锂为原料，经挤压、冲制制得的供锂－锰及其他锂系列扣式电池用的锂圆片。

铍铝合金   
关键词：GB/T 26063-2010
摘　要： 本标准规定了铍铝合金的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及质量证明书与合同（或订货单）内容。 本标准适用于由粉末冶金工艺或由真空熔铸工艺生产的铍含量在60%～69%的铍铝合金产品。

铌及铌锆合金丝   
关键词：GB/T 26062-2010
摘　要： 本标准规定了铌及铌锆合金丝的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和合同（或订货单）内容。 本标准适用于冷拉方法生产的铌及铌锆合金圆形丝材。

钽铌复合碳化物   
关键词：GB/T 26061-2010
摘　要： 本标准规定了钽铌复合碳化物的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和合同（或订货单）内容。 本标准适用于五氧化二钽（或钽粉）、五氧化二铌碳热还原法制得的钽铌复合碳化物。该产品用于生产硬质合金。

钛及钛合金铸锭   
关键词：GB/T 26060-2010
摘　要： 本标准规定了钛及钛合金铸锭的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及合同（或订货单）内容等。 本标准适用于真空自耗电弧炉（VAR）、电子束冷床炉（EBCHM）生产的钛及钛合金圆型铸锭和矩形扁锭。

钛及钛合金网板   
关键词：GB/T 26059-2010
摘　要： 本标准规定了钛及钛合金网板的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及合同（或订货单）内容等。 本标准适用于各种用途的、以板材冷冲成形的钛及钛合金网板。