标准列表
铁氧体永磁直流电动机
关键词：GB/T 6656-2008
摘 要：
本标准规定了铁氧体永磁直流电动机的分类、技术要求和试验方法、检验规则、标志、包装、储存及运输等。
硅抛光片表面质量目测检验方法
关键词：GB/T 6624-2009
摘 要：
本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验单晶抛光片（以下简称抛光片）表面质量的方法。
本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。
硅片表面平整度测试方法
关键词：GB/T 6621-2009
摘 要：
本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。
本标准适用于测量标准直径76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,电阻率不大于200Ω.cm厚度不大于1000?m的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。
硅片翘曲度非接触式测试方法
关键词：GB/T 6620-2009
摘 要：
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片）翘曲度的非接触式测试方法。
本标准适用于测量直径大于50 mm，厚度大于180?m的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。
硅片弯曲度测试方法
关键词：GB/T 6619-2009
摘 要：
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法。
本标准适用于测量直径不小于25mm，厚度为不小于180μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其它半导体圆片弯曲度。
硅片厚度和总厚度变化测试方法
关键词：GB/T 6618-2009
摘 要：
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。
本标准适用于符合GB/T12964、GB/T12965、GB/T14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
关键词：GB/T 6617-2009
摘 要：
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10 Ωcm～10 Ω·cm。
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
关键词：GB/T 6616-2009
摘 要：
本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。
钛及钛合金术语和金相图谱
关键词：GB/T 6611-2008
摘 要：
本标准规定了钛及钛合金术语，并提供了部分术语的金相照片。
